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聚焦未來半導體材料碳化硅的革命性進展
作者 金嶺環保
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發布時間 17-11-23
第三代半導體材料主要包括碳化硅、金剛石、氮化鎵等，相比第一代、第二代半導體材料，第三代半導體材料具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子微波射頻器件的核心，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
碳化硅被半導體界公認為是一種未來的材料，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料，促使碳化硅發展的主要因素是硅材料的負載量已經達到極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。
碳化硅屬于寬禁帶半導體，物理特性與硅有很大不同，碳化硅耐高溫，導熱率超過銅的導熱率，器件產生的熱量會快速傳遞，這無疑對器件的通流性能提高非常有利。碳化硅還有很強的耐輻射性，做成的器件可以在核反應堆附近及太空中電子設備應用。
因此，可以預見到不久的將來，碳化硅材料和器件工藝的完善，部分硅領域被碳化硅來替代是指日可待的。
